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IsoVu 光隔离探头

IsoVu 探头技术可在基准电压以 100V/ns 或更快速度回转 ±60kV 时提供高达 ±2500V 的精确差分测量。第二代探头采用 IsoVu 第 2 代设计,其尺寸仅为第一代的五分之一,但却拥有所有的 IsoVu 技术优势。

与用于测量高压信号的高带宽传统差分探头相比,隔离性和高频性相结合的 IsoVu 探头为电源设计人员提供更精确的测量结果。应用案例包括:

开关模式电源设计

宽禁带 GaN 和 SiC 设备的功率 FET 设计/分析

逆变器设计

电机驱动设计

BCI 或 ESD 测量

电流分流器测量

项目服务:辉科实业  技术支持:13063638652



产品简介 / Introduction

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IsoVu 探头的优势

IsoVu 技术使用光纤供电和光模拟信号路径,以在测量系统和 DUT 之间实现完全光电隔离。这种隔离的重要优势是允许探头在共模电压下独立浮动。

  • DC 时 160 dB (100,000,000:1) CMRR

  • 100 MHz 时高达 120 dB (1,000,000:1) CMRR

  • 1 GHz 时高达 80 dB (10,000:1) CMRR

  • ±60 kV 共模电压范围

  • 高达 ±2500 V 差分输入电压范围

  • 高达 ±2500 V 偏置范围

高压和高带宽

如果使用传统的差分探头,则必须在高带宽或高电压电平之间进行选择。IsoVu 探头具有屏蔽同轴电缆和隔离层,可提供高带宽和 ±2500 V 的差分电压范围。第 2 代 IsoVu 可提供 200 MHz、500 MHz 和 1 GHz 的带宽,以满足您的预算和性能要求。

高性能和便捷的连接

TIVP ZH CN 51C 61655 2

IsoVu 探头端部具有一系列连接和附件,性能和可接入性较高。探头可以直接连接到 MMCX 连接器,这种连接器价格便宜且使用广泛。这样就可以提供稳定的、免提测试点,以及高带宽和共模抑制。坚硬的金属主体屏蔽了中心导体,最大程度地减小了接地回路的面积,从而将干扰降至最低。

还可提供其他附件使探头端部能够用于多种连接方式。另外还提供 0.100" 和 0.200" 间距的四方针端部以用于差分电压大于 ±250V 的场景。当不使用端部时,传感头在探头的 SMA 连接器处还具有 1MΩ 和 50Ω 的可切换端接。此功能可以有效地向任何兼容示波器添加隔离通道。

功率转换器和电机驱动设计中的浮动测量

在半桥功率转换器中进行高边测量充满挑战,因为测量时参考的源或集电极会快速上下摆动。SiC 和 GaN FET 等宽带隙器件更难测量,因为它们可以在几纳秒内切换高压。这种快速变化的共模电压产生的噪声进入差分测量结果中,并掩盖 VGS 和 VDS 的详细信息。IsoVu 探头在全带宽下具有无与伦比的共模抑制性能,通常首次能够查看到信号详细信息。

应用

  • 使用 SiC 或 GaN、FET 或 IGBT 的半/全桥设计

  • 浮动测量

  • 功率转换器设计

  • 电源设备评估

  • 开关电源设计

  • 逆变器设计

  • 电机驱动设计

  • 电子镇流器设计

  • EMI 和 ESD 故障排除

  • 电流并联测量

技术数据

除另行指明外,所有技术规格为一般规格并适用于所有型号。

  • 概述

  • 特征TIVP1TIVP05TIVP02
    带宽1 GHz500 MHz200 MHz
    上升时间450 ps850 ps2 ns
  • 差分输入电压范围、偏置范围、差分阻抗

  • 仅使用列出的传感器端部电缆。

    传感器端部电缆差分输入电压范围偏置范围输入阻抗
    SMA 输入(50Ω 模式)±5 V±25 V50 Ω || N.A.
    SMA 输入(1MΩ 模式)±5 V±25 V1 MΩ || 11 pF
    TIVPMX10X±50 V±200 V10 MΩ || 2.8 pF
    TIVPMX50X±250 V±250 V9.75 MΩ || 2.3 pF
    TIVPSQ100X±500 V±500 V9.75 MΩ || 3.5 pF
    TIVPWS500X±2.5 kV±2.5 kV40 MΩ || 2.4 pF
    TIVPMX1X±5 V±25 V50 Ω 或 1 MΩ || 28 pF
  • 共模抑制比

  • ±5 V 范围内降低约 20 dB,直流除外。

    传感器端部电缆DC1 MHz100 MHz200 MHz500 MHz1 GHz
    SMA 输入(50Ω 模式)160 dB145 dB100 dB100 dB100 dB90 dB
    SMA 输入(1MΩ 模式)160 dB145 dB100 dB100 dB100 dB90 dB
    TIVPMX10X160 dB115 dB92 dB90 dB85 dB80 dB
    TIVPMX50X160 dB110 dB80 dB80 dB80 dB70 dB
    TIVPSQ100X160 dB105 dB60 dB50 dB35 dB25 dB
    TIVPWS500X160 dB90 dB50 dB40 dB20 dB10 dB
    TIVPMX1X160 dB125 dB115 dB110 dB100 dB90 dB
  • 最大无损差分电压

  • 传感器端部电缆Vpk(直流 + 交流峰值)1
    SMA 输入(50Ω 模式)5V RMS
    SMA 输入(1MΩ 模式)100 Vpk
    TIVPMX10X250 Vpk
    TIVPMX50X300 Vpk
    TIVPSQ100X600 Vpk
    TIVPWS500X3300 Vpk
    TIVPMX1X5 V RMS (50 Ω),100 Vpk (1 MΩ)
  • 共模电压范围

  • 60 kV 峰值

  • 共模输入阻抗(典型值)


    • 输入电阻

    • 通过光纤连接隔离电流

    • 输入电容2

    • <2 pF

  • DC 增益精度


    • 差分直流增益精度

    • 自校准后<1.5%; 在偏离4摄氏度自校准温度额外增加4.5%

  • 系统噪声 (rms)

  • 传感器端部电缆±20 mV 范围(最敏感)±320 mV 范围±5 V 范围(最大范围)
    SMA 输入(50Ω 模式)0.43 mV rms1.46 mV rms48 mV rms
    SMA 输入(1MΩ 模式)0.43 mV rms1.46 mV rms48 mV rms
    TIVPMX10X4.3 mV rms14.6 mV rms480 mV rms
    TIVPMX50X21.5 mV rms73 mV rms2.4 V rms
    TIVPSQ100X43 mV rms146 mV rms4.8 V rms
    TIVPWS500X215 mV rms730 mV rms24 V rms
  • 传播延迟


    • 2 m 电缆

    • 18.3 ns

    • 10 m 电缆

    • 63.7 ns

激光认证

  • CLASS I 激光器产品

  • 该产品符合 21 CFR 1040.10 和 1040.11,符合 2007 年 6 月 24 日发布的第 50 号激光器通告的偏差除外。

1随频率下降;请参阅《TIVP 系列 IsoVu 测量系统用户手册》的“技术规格”部分中的最大差分输入电压与频率下降图。

2传感器头部和参考平面之间的电容。将传感器头部置于参考平面之上 6 英寸(15.25 厘米)。

江苏辉科电子实业有限公司

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